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2026-10

MOS管体二极管在AI储能双向DCDC中的续流损耗，7月实测数据与替代方案

MOS管体二极管在AI储能双向DCDC中...

平尚科技从反向恢复损耗公式P_rr≈½QrrVf与死区导通损耗、沟槽栅MOS管Qrr降低40%使壳温从92℃降至78℃的实测、SiC MOSFET低至2.0μC的Qrr与理想二极管控制器沟道续流三条替代路径三个维度，给出双向DC-DC续流损耗的抑制准则。
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2026-10

​7月AI储能电芯容量升至500Ah+，贴片电感在均衡电路中的感值选取新规

​7月AI储能电芯容量升至500Ah+，...

剖析500Ah+大电芯将主动均衡电流从1-2A推升至3-5A对贴片电感感值选取的连锁影响，从纹波电流公式ΔI=V×D/(L×f)揭示感值与饱和电流的跷跷板关系、同封装下4.7μH感值的8A饱和电流对比22μH的3-4A饱和电流、开关频率从100kHz升至250-300kHz抵消低感值纹波增大的三重逻辑，结合平尚科技合金磁粉芯贴片电感（4.7-10μH，Isat 3-8A，DCR 15-35mΩ）参...
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2026-10

​贴片二极管反向恢复振铃抑制：AI储能DAB变换器RC吸收参数如何优化？

​贴片二极管反向恢复振铃抑制：AI储能D...

​漏感过剩电流对寄生电容充电导致电压尖峰与EMI恶化，从“频率减半法”实测寄生电容与特性阻抗R≈1/(2πfC)的RC参数计算逻辑、平尚科技ES1J贴片超快恢复二极管35ns trr与高温稳定低Qrr对振铃激励源的削弱、47Ω吸收电阻配合470pF电容将28MHz振铃幅度降低70%且电阻温升控制在35℃以内的实际案例三个维度，给出DAB变换器RC吸收参数的优化准则与二极管选型依据
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2026-10

​NTC热敏电阻快速响应封装在AI储能液冷板上的实测热时间常数

​NTC热敏电阻快速响应封装在AI储能液...

NTC热敏电阻热时间常数的技术定义（达到63.2%阶跃变化所需时间）及其对测试介质的强烈依赖性——同一器件静止空气中285秒、静止水中18秒，从平尚科技倒装芯片封装5ms热响应与Vishay NTCAIMM66H浸入式1.5秒、敏创电子贴装2秒级、TDK硅油中4.2秒的实测数据对比，从液冷板安装位置（外壁贴装稳态偏差2.3℃ vs 浸入式0.4℃、弯头处波动±2.8℃ vs 直管段±0.5℃）对有...
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2026-10

薄膜电容安规距离在AI储能1500V系统中的爬电复核，7月新标准下的选型

薄膜电容安规距离在AI储能1500V系统...

AI储能1500V直流母线系统中薄膜电容爬电距离不足引发沿面闪络的失效机理——1500Vdc横跨IEC 60664-1的1000V与2000V两档电压梯度，从电气间隙（瞬态过电压）与爬电距离（持续电压表面漏电）的差异化计算逻辑、IEC 62477-1下III类过电压方案要求22-25mm爬电距离与平尚科技PS-1500系列1600VDC耐压、纳米Al₂O₃改性薄膜低至2pC局部放电量的参数适配、华...
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2026-10

贴片电阻在AI储能预充回路中的脉冲功率曲线，7月高温降额后是否达标？

贴片电阻在AI储能预充回路中的脉冲功率曲...

AI储能PCS预充回路中贴片电阻承受脉冲能量而非稳态功率的物理本质——E=½CU²决定能量吸收，峰值功率可达稳态值5至10倍，从厚膜电阻（HPCR系列，2512封装过载电流22A）与合金电阻（2512封装3W，一体式冲压电子束焊接）的脉冲耐受能力差异、IEC 60115-8端子温度降额标准（额定端子温度125℃）对高温脉冲余量的侵蚀、平尚科技分功率等级选型准则三个维度，结合华南某AI数据中心储能P...
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