新闻中心
您的位置: 首页 -> 新闻中心  -> 新闻动态
12

2026-08

用超低阻合金电阻测微小电流，热噪声淹没AI储能电芯自放电真实信号的困境

用超低阻合金电阻测微小电流，热噪声淹没A...

超低阻合金电阻的选型逻辑很直观：阻值越低，大电流下的压降越小、功耗越低。在AI储能BMS的大电流采样通道中，0.5mΩ甚至0.2mΩ的合金电阻已经成为主流选择。但当同一个电阻被用来测量自放电的微小电流时，问题就暴露了。
>
11

2026-08

​薄膜电容的自愈特性在AI储能高频脉冲下变频繁，是否预示寿命缩短？

​薄膜电容的自愈特性在AI储能高频脉冲下...

AI储能PCS的DC-Link和LC滤波器中，薄膜电容正在大量取代铝电解电容。低ESR、高纹波电流承受能力、无电解液干涸风险——这些优势让薄膜电容成为高压高频场景的首选。
>
11

2026-08

​雷击浪涌过后，桥堆外观无损却反向漏电增大，AI储能防雷的隐性大坑

​雷击浪涌过后，桥堆外观无损却反向漏电增...

浪涌对桥堆的损伤分为两种。硬损伤是PN结被彻底击穿——表现为短路或开路，外观可能有炸裂痕迹，保险丝熔断，故障一目了然。微损伤则完全不同——浪涌冲击导致芯片表面产生微小裂纹、PN结局部熔融或金属化层迁移，但整体结构尚未崩溃。
>
10

2026-08

​贴片三极管β值高温衰减，导致AI储能继电器驱动不足的临界点计算

​贴片三极管β值高温衰减，导致AI储能继...

β值不是常数，它随温度变化。温度每上升1℃，β值约增大0.5%至1%。很多人觉得“β变大不是好事吗？驱动能力应该更强才对”——但在继电器驱动电路中，β增大带来的不是更强的驱动能力，而是更不可控的饱和深度和基极电流的失配。
>
10

2026-08

贴片晶振受机械应力致晶体断裂，AI储能震动环境下如何用软胶缓冲工艺规避？

贴片晶振受机械应力致晶体断裂，AI储能震...

PCS机柜内的散热风机以数千转每分钟高速旋转，压缩机间歇启停产生低频冲击，并网接触器的吸合释放反复撞击——这些震动源在储能系统10到15年的设计寿命中持续作用，频率覆盖从数十Hz到数kHz的宽频段。而系统内部成千上万颗贴片晶振，恰恰是整块PCB上对机械应力最敏感的器件。
>
08

2026-08

AI储能功率模块有源循环老化下，MOS管阈值电压漂移的实时数字孪生监测

AI储能功率模块有源循环老化下，MOS管...

​在功率模块的老化监测中，工程师习惯盯着通态压降VCE(ON)或导通电阻RDS(on)——这两个参数主要反映键合线和焊料层的封装退化。但对于MOS管来说，芯片本身的退化——阈值电压Vth的漂移——往往比封装退化更早发生，也更难被发现。
>
总数:700   总页数:117   当前是:第1页  第一页  上一页   下一页   最后页 转到

Hello！

平尚电子公众号

微信扫一扫

享一对一咨询