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贴片电容的低ESR优势在AI芯片供电中的应用
文章出处：平尚科技
责任编辑：平尚科技
发表时间：2025-12-02
贴片电容的低ESR优势在AI芯片供电中的应用
在当前AI算力狂飙突进的时代，AI芯片的供电网络（PDN）设计已超越传统范畴，成为决定算力能否充分释放的核心战场。当芯片在纳秒间切换于待机与数百安培的峰值负载时，供电网络的瞬时响应能力与稳定性直接关系到计算任务的成败。在这一精密而苛刻的能量体系中，贴片电容，尤其是具备超低等效串联电阻（ESR）特性的产品，已从普通元器件跃升为保障AI芯片稳定运行的“关键卫士”。东莞市平尚电子科技有限公司凭借在工业级电子元器件领域，特别是在液冷散热应用中的技术深耕，其低ESR贴片电容方案正为国产AI计算硬件提供坚实可靠的电源完整性保障。
AI芯片供电的严苛挑战与低ESR的价值核心AI服务器与高性能计算卡中的GPU、ASIC等芯片，其工作模式以突发性、高功率为显著特征。这种极动态的负载变化对电源提出了近乎矛盾的要求：既要提供超大电流，又必须将电压波动抑制在极窄的窗口内（通常要求控制在±2%以内）。任何微小的电压“塌陷”（Voltage Droop）或高频噪声，都可能导致芯片计算错误或性能降频。传统电容在应对这种高频、大电流的瞬态需求时，往往因ESR过高而力不从心。ESR如同电流在电容内部流通时必须克服的“摩擦力”，它不仅会消耗能量、导致电容自身发热，更会在负载突变时产生额外的纹波电压，恶化电源质量。因此，降低ESR是提升供电网络响应速度、降低纹波噪声、提高整体能效的直接路径。平尚科技聚焦于AI与液冷应用场景，其开发的低ESR贴片电容通过选用高阶介质材料（如X7R、X6S及特性更稳定的C0G材料）和优化内部电极结构，有效将这一关键参数降至毫欧级水平。
实测对比：毫欧之差，性能之别
为量化低ESR贴片电容带来的实际收益，我们以平尚科技适用于AI芯片核心供电的系列产品为例，与常规工业级贴片电容进行对比测试。在模拟AI训练负载循环的测试中，我们观测到：采用平尚科技低ESR（典型值<5mΩ @100kHz）C0G介质贴片电容的供电电路，在芯片负载阶跃跳变的瞬间，其输出电压的下冲（Undershoot）幅度比采用普通ESR（>10mΩ）贴片电容的电路降低了约60%。这意味着芯片电源引脚感受到的电压更平稳，为算力持续满载输出创造了条件。更重要的是，低ESR直接带来了更优的温升表现。在持续满载测试中，由于自身损耗（I²R）大幅降低，低ESR贴片电容的壳体温升比普通产品低8-12℃。这一特性在液冷系统中尤其宝贵。根据平尚科技的研究，在高效的液冷散热环境下，元器件的工作温度波动范围可比传统风冷系统大幅收窄。更低的自身发热意味着电容芯子温度更低，从而与液冷系统形成良性循环，显著延缓材料老化。实测数据表明，在85℃的相同工作温度下，得益于液冷高效散热与低损耗设计的双重作用，电容的预期寿命可比在风冷环境中延长2.5倍以上。
液冷环境下的协同设计与选型考量液冷技术的普及，为AI芯片散热提供了强大支持，同时也对周边元器件提出了新要求。贴片电容在液冷环境中的应用，绝不仅仅是简单地“浸泡”或“接触”冷却。平尚科技基于工业级液冷方案的经验，指出选型时需额外关注：首先，是介质材料的温度稳定性。液冷系统虽整体温度可控，但局部仍可能存在梯度。采用如C0G这类温度补偿型介质，其容值在-55℃至125℃范围内变化率可低至±0.3%，确保电容的滤波性能在复杂工况下始终如一。其次，是封装可靠性。电容必须具有良好的密封性，以抵御长期处于冷却介质环境中可能带来的影响。最后，是布局优化。在液冷设计中，应优先将为大电流AI芯片供电的低ESR贴片电容尽可能贴近芯片的电源引脚布置，以最大限度地缩短高频电流回路，降低寄生电感，这与液冷散热模块的布局需要协同考虑。
平尚科技的低ESR贴片电容
平尚科技的低ESR贴片电容解决方案，已成功应用于多款国产AI训练加速卡及服务器主板的研发与量产中。在某国产AI加速卡项目中，设计团队在GPU核心的电源输入级采用平尚科技的低ESR贴片电容阵列。实测数据显示，在持续双精度浮点计算满载状态下，GPU核心供电轨上的纹波噪声被有效抑制在15mV以内，整机电源效率达到94%。这一实实在在的参数表现，完全满足了高性能AI硬件对电源“洁净度”与高效能的严苛要求，助力国产算力基础设施稳步向前。在AI芯片追求极致算力的道路上，稳定而高效的供电是看不见的生命线。贴片电容的ESR，这个曾经被忽略的毫欧级参数，如今已成为衡量供电网络质量的关键标尺。平尚科技通过持续的技术钻研与贴近应用场景的测试验证，将其工业级低ESR贴片电容打造为AI芯片可靠的“能量后盾”。它们以毫欧级的优势，默默守护着每一伏特电压的稳定，确保澎湃的算力能够无拘无束地释放，为国产AI硬件的崛起奠定了坚实的底层基础。
