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MOSFET功率场效应管的主要性能参数


​功率MOSFET的主要参数有额定电压、额定电流、导通电阻、栅一源极导通阈值电压和额定耗散功率以及栅极电荷。

1.额定电压:是指在栅一源极电压为零、室温的状态下,可以持续承受的zui高电压。需要注意的是,额定电压不是MOSFET的漏一源极之间的击穿电压,而是略低于击穿电压,通常为击穿电压的0.9~0.95。MOSFET的漏一源极之间的击穿电压(VB)随结温而上升,耐压越高的MOSFET变化越大。

现在的MOSFET具有雪崩击穿耐量,也就是说,现在的MOSFET在一定条件下可以工作在雪崩击穿状态,只要雪崩击穿能量不超过其雪崩击穿耐量即可。这个特点是其他半导体器件(除稳压二极管外)所不具备的。


2.额定电流:指在壳温为25℃、栅一源极电压为10V时MOSFET可以承受的持续的电流值。需要注意的是,随着壳温的升,额定电流下降,到100aC壳温时MOSFET的额定电流将下降到25℃时额定电流的约60%。当壳温达到150℃时,MOSFET的额定电流下降到零。具体的电流降额需要查具体型号的数据。


3.导通电阻:是指在结温为室温和栅一源极电压为10V的条件下,MOSFET的漏一源极之间的导通电阻。需要注意的是,导通电阻随结温而上升,当结温达到150qC时,导通电阻将达到室温时的2.5~2.8倍。即使结温在100℃时,其导通电阻也会为室温条件下的2倍。


4.栅一源极导通阈值电压:指MOSFET导通的临界栅一源极电压。


5.额定耗散功率:指在壳温为25℃条件下,MOSFET可以耗散的功率。需要注意的是,随着壳温的上升,MOSFET的耗散功率下降。


6.栅极电荷:MOSFET的栅极一源极之间的电压从OV上升到规定电压所需要的电荷。在相同的驱动电流条件下,栅极电荷越小,栅极一源极电压上升速度越快,MOSFET的开关速度也越快。因此,栅极电荷越小越好。栅极一漏极电荷在MOSFET开关过程起着决定作用,因此也常被称为“米勒电荷”。米勒电荷越小,MOSFET的开关速度越快,即在相同的驱动条件下,米勒电荷越低,开关速度越快。在实际应用时,如有条件,应尽可能选用比较新型的MOSFET
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