MOSFET功率场效应管的主要性能参数

现在的MOSFET具有雪崩击穿耐量，也就是说，现在的MOSFET在一定条件下可以工作在雪崩击穿状态，只要雪崩击穿能量不超过其雪崩击穿耐量即可。这个特点是其他半导体器件（除稳压二极管外）所不具备的。

2.额定电流：指在壳温为25℃、栅一源极电压为10V时MOSFET可以承受的持续的电流值。需要注意的是，随着壳温的升，额定电流下降，到100aC壳温时MOSFET的额定电流将下降到25℃时额定电流的约60%。当壳温达到150℃时，MOSFET的额定电流下降到零。具体的电流降额需要查具体型号的数据。

3.导通电阻：是指在结温为室温和栅一源极电压为10V的条件下，MOSFET的漏一源极之间的导通电阻。需要注意的是，导通电阻随结温而上升，当结温达到150qC时，导通电阻将达到室温时的2.5~2.8倍。即使结温在100℃时，其导通电阻也会为室温条件下的2倍。

4.栅一源极导通阈值电压：指MOSFET导通的临界栅一源极电压。

5.额定耗散功率：指在壳温为25℃条件下，MOSFET可以耗散的功率。需要注意的是，随着壳温的上升，MOSFET的耗散功率下降。