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液冷CPO板级电源中贴片电容的新角色
文章出处：平尚科技
责任编辑：平尚科技
发表时间：2025-12-25
液冷CPO板级电源中贴片电容的新角色随着AI算力需求爆发，将光引擎与计算芯片紧密封装的共封装光学（CPO）技术正成为突破带宽与功耗瓶颈的关键路径。在CPO的板级电源设计中，传统的“供电网络”概念正在消融，取而代之的是与芯片、光子器件、液冷微流道深度交织的“三维能量供给网络”。贴片电容，特别是多层陶瓷电容，在这一颠覆性架构中，其角色已从板上“储能滤波元件”演变为决定供电完整性、信号完整性乃至散热路径的多维功能载体，其规格参数的精确控制也达到了前所未有的水平。
在传统PCB电源中，电容主要作为能量缓存池和噪声滤波器，沿二维平面布局。而在CPO板级设计中，电源转换单元（如微型化的Buck转换器）常被置于计算芯片的基板或中介层上，与光模块、高速SerDes相邻。贴片电容在此的首要新角色是极致近距去耦，它必须被嵌入到供电芯片与负载之间最短的互连路径中，以应对纳秒级、数百安培的瞬态电流需求。这要求电容不仅尺寸微型化，其等效串联电感（ESL） 必须被降至皮亨级别，以消除高频下的阻抗尖峰，国内先进的低ESL电容设计已能将这一数值控制在15pH以下。其次，电容成为了热-电协同设计的关键界面。在液冷CPO中，热量通过芯片顶盖或微流道垂直传导。部分电容（尤其是功率级输入输出滤波的大容量MLCC）会直接布置在功率芯片下方或散热路径上。其封装体的导热性能不再是次要因素，必须选用具有高热导率填料（如氧化铝）的封装材料，以确保其自身发热不影响芯片结温，同时热量能顺利通过其体传递至冷板。平尚科技的工业级方案中，会为高功率密度区域的电容提供定制化的导热路径分析。为胜任新角色，贴片电容的规格参数被赋予了新的内涵和更严苛的边界。尺寸与容值密度：CPO的互连间距可能小至数十微米，留给电容的Z向高度和平面面积极其有限。01005（0402公制）甚至更小的封装成为常态。这驱动着容值密度（单位体积的容量）成为核心指标。通过采用超薄介质层（如1微米以下）和更高介电常数的陶瓷材料（如特种X8R材料），国内领先的MLCC技术能在0201封装内实现1μF以上的容量，同时保持足够的额定电压。
直流偏压特性与稳定性：为获得高容值而采用的高介电常数介质，其电容值会随施加的直流电压升高而显著下降（直流偏压效应）。在CPO的低电压、大电流供电轨（如0.8V）上，电容的实际有效容值必须精确可知。平尚科技提供的产品会标定详细的直流偏压曲线，确保在设计电压下，其有效容值衰减被控制在可预测的范围内（例如-30%以内），避免因估算错误导致去耦不足。高温高湿下的长期可靠性：尽管处于液冷环境中，但CPO模块内部仍可能存在温梯和湿气。电容介质材料必须能承受长期高温（如105℃以上）和潜在的热冲击，其绝缘电阻（IR） 在寿命末期不能出现断崖式下跌。工业级MLCC通过严格的加速寿命测试，可确保在85℃/85%RH条件下工作1000小时后，其容值变化率不超过±10%，绝缘电阻仍维持在吉欧姆级别，满足CPO长达数年的稳定运行要求。
在具体应用中，贴片电容与CPO板级电源的集成方式也在创新。例如，采用嵌入式电容技术，将电容介质材料直接沉积在封装基板或中介层的内部平面层，实现最短的互连和几乎为零的安装电感。或者，在芯片的硅通孔（TSV）阵列旁，以倒装芯片形式集成超微型电容芯片，实现最近距离的能量补充。国内产业链在先进封装和材料领域的持续投入，使得面向液冷CPO贴片电容解决方案正从概念走向工程现实。通过对ESL、容值密度、直流偏压特性和可靠性的精细化管控，这些微小的电容元件正有力地支撑着CPO技术将更高带宽、更低功耗的梦想转化为可量产的产品，为下一代AI基础设施奠定坚实的“能量基石”。
