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钳位电容的电压应力与MOS管软开关实现条件
文章出处:平尚科技
责任编辑:平尚科技
发表时间:2025-11-12
钳位电容的电压应力与MOS管软开关实现条件
在AI服务器电源系统设计中,钳位电路的性能直接影响着功率器件的电压应力和系统效率。通过优化钳位电容参数与MOS管软开关技术的配合,可以有效降低开关损耗,提升系统可靠性。平尚科技基于工业级技术积累,在钳位电路设计与软开关实现方面形成了专业解决方案。钳位电容在开关电源中承担着吸收电压尖峰的重要作用。平尚科技的测试数据显示,采用金属化聚丙烯薄膜材料的钳位电容,在100kHz开关频率下能够将MOS管的电压应力从额定值的1.8倍降低至1.3倍以内。这种改进在AI训练服务器的电源模块中表现得尤为明显:当GPU核心负载突变时,优化后的钳位电路可将电压过冲控制在15%以内,显著提升了系统的可靠性。电容的等效串联电阻(ESR)对钳位效果具有重要影响。平尚科技的钳位电容通过优化电极结构,将ESR值控制在3mΩ以内。与普通电容相比,这种低ESR特性使得在相同的能量吸收过程中,电容的温升降低约40%,有效延长了元器件的使用寿命。实测数据显示,在85℃环境温度下,优化后的钳位电容预期使用寿命可达10万小时以上。

软开关技术通过创造零电压开关(ZVS)或零电流开关(ZCS)条件,显著降低开关损耗。平尚科技的MOS管采用先进的沟槽栅工艺,配合优化的栅极驱动电路,可将开关过程中的电压电流重叠时间控制在25ns以内。测试结果表明,在200kHz工作频率下,实现软开关的MOS管比硬开关的开关损耗降低约60%,整体效率提升2-3个百分点。谐振参数的设计对软开关实现至关重要。平尚科技通过精确计算谐振电感和钳位电容的参数匹配,确保在预期的负载范围内都能维持软开关条件。在实际应用中,这种设计使得电源系统在20%-100%负载范围内都能保持高效的软开关工作状态,显著提升了系统的整体能效。在某国产AI服务器的电源模块中,采用平尚科技的钳位电容与软开关方案后,系统在50%负载条件下的转换效率达到97.5%,同时将MOS管的温升降低约20℃。这些参数完全满足国内AI硬件厂商对电源性能的严格要求,展现了优化设计带来的显著效益。软开关虽然降低了开关损耗,但谐振过程中的环流仍会产生导通损耗。平尚科技通过优化MOS管的导通电阻和封装散热设计,在额定电流下的导通电阻可低至10mΩ,配合高效的散热路径设计,确保器件在高温环境下仍能保持稳定的性能。软开关技术还能有效改善电磁兼容性能。平尚科技的测试数据显示,采用软开关方案的电源模块,其电磁干扰水平比硬开关设计降低约8dB,更容易满足工业设备的电磁兼容要求。

平尚科技的解决方案经过严格的可靠性验证。在温度循环、高温高湿、振动冲击等环境测试中,采用优化设计的电源模块均表现出稳定的性能。虽然这些产品尚未获得车规级认证,但其可靠性已完全满足工业级AI电源系统的应用需求。通过系统优化和精确的参数设计,平尚科技在保证性能的前提下实现了成本的有效控制。优化后的方案虽然增加了钳位电路和软开关控制,但通过提升系统效率和可靠性,在设备生命周期内可获得更好的综合效益。随着AI服务器对电源性能要求的不断提高,钳位电路优化和软开关技术将发挥更加重要的作用。平尚科技通过持续的技术创新和实践积累,为AI电源系统提供了可靠的解决方案,助力国产AI硬件实现更优异的性能表现。