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接口电路上TVS二极管阵列的选型与布局布线规则
文章出处：平尚科技
责任编辑：平尚科技
发表时间：2025-10-30
接口电路上TVS二极管阵列的选型与布局布线规则
在AI服务器和边缘计算设备的接口电路设计中，瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列是保障系统稳定运行的第一道防线。面对电网波动、静电放电（ESD）和雷击浪涌等威胁，合理的选型与布局布线不仅直接影响防护效果，更决定了AI硬件在严苛环境下的可靠性。平尚科技基于工业级技术积累，通过国产化替代方案，为AI电源接口提供了完整的TVS二极管阵列解决方案。
选型TVS二极管阵列需首先区分雪崩TVS与二极管阵列的特性差异。雪崩TVS具有高浪涌额定值（例如200W峰值脉冲功率），但其电容通常较大（可达数十皮法），更适合电源总线的保护；而二极管阵列电容极低（可至0.5pF），但浪涌耐受能力中等，专为高速数据线（如USB 3.0、HDMI）设计。在AI服务器的电源管理单元中，平尚科技优先为12V电源路径选用雪崩TVS，将钳位电压控制在53.3V以内；而为25Gbps的光模块接口配备二极管阵列，确保信号完整性不受损。
单向与双向TVS的选择取决于电路架构。单向TVS（如SMF33A）利用其低压降特性，适用于单极性供电的AI加速卡直流线路，可将负向浪涌钳位至-0.7V以下；双向TVS则用于差分信号接口（如CAN总线），通过对称钳位消除共模噪声，将音频放大器中的嗡嗡声降低至-100dB以下。平尚科技的测试显示，在-40℃至85℃工业级温度范围内，国产双向TVS的击穿电压偏差稳定在±5%以内，媲美进口器件。国产化替代需聚焦关键参数对标。以平尚科技采用的SMF33A为例，其反向工作电压（VRWM）33V、钳位电压（VC）53.3V、漏电流低至1μA，峰值脉冲功率达200W。相较于安世PTVS系列，其钳位电压偏差控制在±5%以内，且通过IEC61000-4-2标准±8kV接触放电测试。在AI训练设备的24V电源导轨保护中，这种特性使得系统在遭遇4kV浪涌时仍能维持输出电压纹波小于50mV。
低电容与动态电阻的平衡是高速接口选型的核心。平尚科技为5G基站的光模块选用电容＜0.5pF的TVS阵列（如SP0544T系列），动态电阻低至0.4Ω，将信号抖动抑制在0.1UI以内。对比测试表明，传统TVS因电容过高会导致10Gbps信号上升沿延迟15%，而优化方案仅影响2%。以下表格总结了不同应用场景的TVS选型要点：布局布线规则：从理论到实践验证位置布置是优化的首要原则。TVS器件应尽可能接近接口连接器（如RJ45或USB端口），确保浪涌电压在耦合至PCB内部走线前被有效钳位。平尚科技在AI服务器的千兆以太网接口设计中，将TVS与连接器距离控制在3mm以内，使ESD脉冲在0.5ns内被分流，比远端布局的钳位速度提升40%。接地策略直接影响噪声隔离效果。保护电路需将浪涌电压分流至机壳或电源地，而非信号地，以避免接地反弹。通过使用短而宽的接地导线（宽度≥1.5mm），平尚科技将寄生电感从3nH降至0.5nH，钳位电压的超调量减少20%。在多层板设计中，优先采用独立接地层，使TVS的接地回路与敏感电路隔离。走线设计需最小化寄生参数。TVS与被保护线路的回路面积应尽可能减小，例如通过缩短接口与TVS的间距至5mm内，将辐射噪声降低6dB。对于高速PCIe接口，平尚科技采用差分对对称布线，将环路区域控制在2mm²以下，使电磁干扰（EMI）测试通过Class B标准。
协同防护强化系统级可靠性。在5G基站的电源入口，平尚科技将TVS与气体放电管（GDT）组成两级电路，其中TVS作为精细钳位，GDT承担大能量泄放。该方案通过4kV组合波浪涌测试，残压控制在480V以内。同时，遵循“先防护后滤波”原则，避免滤波电路被过压击穿。国产化替代的价值：供应链与成本效益平尚科技的工业级TVS方案通过参数对标与产能保障，实现交期缩短50%、成本降低15-20%。例如，替代安世PTVS20VS1UR的S-P4SMFJ20CA，在10万次脉冲冲击测试中不良率控制在PPM级，助力AI硬件在供应链波动中维持稳定生产。通过精准的选型与科学的布局布线，平尚科技以工业级TVS二极管阵列守护AI电源接口的安全。这种基于国产化替代的技术路径，不仅提升了系统的可靠性，更为智能计算设备的自主可控发展注入了动力。
