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MOS管_场效应晶体管_SOT-23封装规格齐全
MOS管一般是金属一氧化物一半导体,场效应晶体管,或者称是金属一绝缘体一半导体。G:栅极;S:源极; D:漏极。
 

MOS管_场效应晶体管_SOT-23封装规格齐全

  • 详情说明

​MOS管常见封装:
TSSOP-8、SOT-23、SOT-89、SOT-223、 SOP-8、TO-92、TO-220 TO-220F、 TO-247、TO-251、TO-252、TO-262 TO-263、TO-3P、TO-3PF、DFN3*3 DFN5*6、TO-263-6L
常规电流:1A~250A

电压范围:1V~1500V


MOS一般是金属一氧化物一半导体,场效应晶体管,或者称是金属一绝缘体一半导体。G:栅极;S:源极; D:漏极。
MOS管的源极和耗尽层是可以对调的,他们都是在P型 backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

场效应管分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)管,属于绝缘栅场效应管。


平尚科技MOS管封装规格齐全,可提供样品,品质保障,全面的技术支持,解决电子元器进口束缚。​咨询热线:13622673179



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