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电参数和测试仪器介绍


  PC 指集电极允许耗散功率,使用时不能过此功率;

  IC 指集电极允许直流电流;

  IB 指基极允许直流电流;

  Tj 结温度,指PN结温度;

  VCEO(集电极—发射极击穿电压)基极开路,C、E之间的反向击穿电压。

  VCBO(集电极—基极击穿电压)发射极开路,C、B之间的反向击穿电压。

  VEBO(发射极—基极击穿电压)集电极开路,E、B之间的反向击穿电压。

  HFE(共发射极正向电流传输比):在共发射极电路中,输出电压保持不变时,直流输出电流与直流输入电流之比。

  ICBO(集电极—基极截止电流):当发射极开路时,在规定的集电极—基极电压下,流过集电极—基极结的反向电流。

  IEBO(发射极—基极截止电流):当集电极开路时,在规定的发射极—基极电压下,流过发射极—基极结的反向电流。

  VCE(SAT)(集电极—发射极饱和压降):晶体管工作于饱和区时,在规定的基极电流和集电极电流下,集电极子与发射极子之间的电压;

  VBE(SAT)(基极—发射极饱和压降):晶体管工作于饱和区时,在规定的基极电流和集电极电流下,基极子与发射极子之间的电压;

  VBE(基极—发射极电压):在规定的VCE、IC的条件下,晶体管的基极—发射极正向电压。

  FT(特征频率):共发射小信号正向电流传输比的模数下降到1时的频率;

  Cob(共基极输出电容):在共基极电路中,输入交流开路时的输出电容。
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