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钽电容器的阳极选择方法之篇


对于单一阳极技术成为标准通用型选择是由于其出色的性价比。多阳极设计可提供低的ESR值,但其缺点是生产成本要高于单阳极解决方案。标准的芯片集成工艺的槽式阳极设计是低ESR与低成本折中的一种结果。因此,槽式设计通常用于价格同时要求低ESR的设计,而多阳极技术适合用于既要求低ESR更要求高可靠性的应用中,如电信基础设施、网络、服务器和军事/航空航天等应用。

除了上述差异,多阳极的概念有另两处。

(1)多阳极设计具有好的散热性能,这意味着多阳极电容可以承载高的持续电流;同理,多阳极电容对抗电流浪涌危害的能力也强。

(2)相多阳极电容的单位容积效率较低,这导致了一种假设,认为多阳极不能达到与单一阳极一样的CV(定电压因素)。薄的阳极实现起来容易,并且易被二个二氧化锰电极系统穿透,使高的CV得以利用,因此,多阳极电容器能达到同样甚至高的CV水平。


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