2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了烈的开发竞争。
　　SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。
　　GaN功率元件方面，日本各大企业相继发布了新产品，还有不少企业宣涉足功率元件业务。其中，变化较大的是耐压600V的GaN功率晶体管。耐压600V的功率晶体管能够应用于空调、电磁炉等白色家电，混合动力汽车和纯电动汽车的逆变器，光伏逆变器及工业设备等输出功率在数百～数万W的功率转换器。
　　GaN功率半导体的生产能够沿用过去生产逻辑IC等产品使用的支持6～8英寸Si基板的生产设备以及面向LED引进的GaN类半导体外延设备等，这将推动亚洲企业涌进该市场。
　　GaN功率半导体领域，在SiC功率半导体领域，日本以外的亚洲企业的实力也在逐渐强。