快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用 PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或长，后者则在100 ns(纳秒)以下。   
    肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管，具有正向压降低（0.4--1.0V）、反向恢复时间很短（2-10ns纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
肖特基二极管和快恢复二极管区别：
    快恢复二极管在制造工艺上采用掺金，单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。   
    快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间转换，提高了器件的使用频率并了波形。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
    肖特基二极管：反向耐压值较低(一般小于150V），通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低，频率响为RC时间常数限制，它是高频和开关的理想器件。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 
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