1、输入特性
　三极管的输入特性曲线，它表示Ib随Ube的变化关系，其特点是：
      1）当Uce在0-2伏范围内，曲线位置和形状与Uce 有关，但当Uce高于2伏后，曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线表示即可。
　　2）当Ube＜UbeR时，Ib≈O称（0～UbeR)的区段为“死区”当Ube＞UbeR时，Ib随Ube增加而增加，放大时，三极管工作在较直线的区段。
　　3）三极管输入电阻，定义为:
　　rbe=(△Ube/△Ib)Q点，其估算公式为：
　　rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏）
　　rb为三极管的基区电阻，对低频小功率管，rb约为300欧。
　　2、输出特性
　　输出特性表示Ic随Uce的变化关系，它分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。
　　截止区 当Ube＜0时，则Ib≈0，即Ic=Iceo，称为穿透电流，常温时Iceo约为几微安，锗管约为几十微安至几百微安，它与集电极反向电流Icbo的关系是：
　　Icbo=(1+β)Icbo
　　常温时硅管的Icbo小于1微安，锗管的Icbo约为10微安，对于锗管，温度每升高12℃，Icbo数值增加一倍，而硅管温度每升高8℃，Icbo数值增大一倍。
      放大区 当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，Ic随Ib近似作线性变化，放大区是三极管工作在放大状态的区域。
　　饱和区 当发射结和集电结均处于正偏状态时，Ic基本上不随Ib而变化，失去了放大功能。
　　三极管的输入特性与输出特性
　　截止区和饱和区是三极管工作在开关状态的区域，三极管和导通时，工作点落在饱和区，三极管截止时，工作点落在截止区。
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