电阻电容的使用要考虑哪些性能与参数
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●电阻
容差：通用场合选用1％精读，当有要求比如输出电压精度要求时选用小的
选择比率：当阻值不是很重要时，比如分压器，以减少电路中不同阻值种类数目以实现大批量采购节约成 本
电压：电阻其实也可以被击穿，高压应用时要注意
温度系数：大多数电阻都有很小的温度系数（50～250ppm每度），电阻发热时，线绕电阻的温度系数会有 较大变化
额定功率：一般电阻功耗为额定值一半
脉冲功率：在较短时间内，线绕电阻可以承受远大于其额定功率的冲击，但非线绕电阻不行
●电容
铝电解电容 大容量小体积
钽电容 中等电容量
陶瓷电容 定时与信号电路
多层陶瓷电容 低ESR场合
塑胶电容 高dv/dt场合
容差：典型值正负20％，电解电容还要差好多
ESR：等效串联电阻，设计大容量滤波器时ESR比容量重要
老化：“电源寿命1000h”实际就是对电解电容电容而言，如果把电源放到实际温度条件或者工作几年就要 选择2000h到5000h
●肖特基二极管
常用在整流器中，正向导通电压小，没有反向恢复时间
●整流二极管
反向恢复：二极管正向导通后在很短时间内能够反向流过电流这段时间叫反向恢复时间，这对变换器的效 率不利
但并不是越快越好，会产生的电压电流尖锋
●晶体管（BJT）
脉冲电流：一般BJT上不会提到脉冲电流，取额定直流电流的两倍
放大倍数：一般假定为10，不管手册数据如何
●晶体管（MOSFET）
功率损耗：导通损耗＋门极充电损耗＋开关导通损
导通损耗：当MOSFET导通时漏源极之间存在一个电阻，导通损耗大小取决于管中电流大小，而且电阻 随温升增大
门极充电损耗：由于MOSFET有一个相当大的等效门极电容引起
开关导通损：在开通或关断转换的时候，晶体管上同时既有电压又有电流产生功率损耗
门极电压：通常20V
电阻型号命名方法 分类及主要特性参数等：
导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。
