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MOS管驱动电路的性能决定了电源的效率
随着手机、笔记本等便携电子产业的不断更新，电子元件市场的带动也变得火热起来，便携电子产品离不开电子元件， MOS管就是其中典型的代表，但MOS管在驱动设计上一直都是许多电子工程所头疼的问题。MOS管在不考虑 EMI和纹波要求的情况下，可以更快更好地实现快速切换，因为开关损耗在开关电源总损耗中占很大比例，因此它的驱动电路性能直接决定了电源的效率。对 MOS管来说，如果将两个 GS之间的电压从0拉至管子开启电压的时间越短， 打开的速度就越快。同样假如GS工作电压从开启就降到0V的时间越短， 那么关闭速度就越快。由此可知，想在更短的时间内提高或降低GS电压，需要在MOS管册极中更大的瞬时驱动电流。我们在设计mos管驱动电路时也需要注意以下两点：1、寄生电感：这个是驱动线路走线时产生的和MOS管的结电会形成LC振荡电路。如果芯片直接将驱动器的输出端连接到MOS管栅极，PWM 波的上涨 和降低会造成 较大的震荡 ，导致贴片MOS管急剧发热甚至爆炸。一般方法是将10欧左右的电阻串联在栅极上，降低LC右振荡电路的Q值。2、因为MOS管栅极高输入电阻的性能 ，只需细微的静电或干扰就会产生偏移，因此建议 并联一个10 K电阻来降低输入阻抗。若担心附近电力线的干扰耦合过来，产生瞬间高压击穿MOS管，则可在GS之间再并联约18 V的TVS瞬态抑制二极管， TVS可被认为是一种快速响应的稳定二极管，其瞬间可承受的功率高达数百至数千瓦，可用于吸收瞬间的干扰脉冲。关于贴片mos管驱动电路设计注意事项有哪些就讲到这了，想要了解更多贴片二极管、mos管等产品欢迎在线咨询。
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